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隨著超大規(guī)模集成電路的特征線寬不斷減小,導(dǎo)致信號傳輸延時、功耗增大以及互連阻容耦合增大等問題,為了解決這一問題,多孔低(超低)k介電材料越來越引起人們的注意。

通過在前驅(qū)氣體D5源中添加甲烷,由ECRCVD沉積技術(shù)制備出了SiCOH薄膜,由于在SiCOH低k薄膜的致孔工藝及后道工藝中,薄膜需要經(jīng)受400～450℃的熱沖擊,因此首先對不同甲烷流量下真空退火前后薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌和濕水性進行了研究。

在真空熱處理過程中,熱穩(wěn)定性較差的碳氫基團發(fā)生了熱解吸,使Si-O-Si網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)以及鏈式結(jié)構(gòu)發(fā)生交聯(lián)而形成鼠籠結(jié)構(gòu),從而提高了薄膜中孔隙的含量,并使薄膜表面更平整。但是,由于碳氫基團的熱解吸以及結(jié)構(gòu)的重組降低了薄膜的厚度,并且熱解吸還導(dǎo)致薄膜的疏水性能降低。其次真空熱處理降低了薄膜的漏電流,并且使SiCOH/Si界面的界面態(tài)發(fā)生改變?！?strong>耐磨復(fù)合板的熱處理工藝對組織結(jié)構(gòu)影響

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